AOD4186中文資料萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
AOD4186 |
| 功能描述 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 文件大小 |
153.43 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
6 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | AOSMD |
| 中文名稱 | 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-25 15:22:00 |
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AOD4186規(guī)格書詳情
General Description
The AOD4186 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for low voltage inverter applications.
特性 Features
VDS(V) = 40V
ID= 50A (VGS= 10V)
RDS(ON)< 15m? (VGS= 10V)
RDS(ON) < 19m? (VGS= 4.5V)
100 UIS Tested!
100 RgTested!
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
AOD4186
- 功能描述：
MOSFET N-CH 40V 10A TO252
- RoHS：
是
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
-
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS/萬(wàn)代 |
24+ |
TO252 |
42000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
AOS/萬(wàn)代 |
22+ |
TO-252 |
18000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
AOS/萬(wàn)代 |
23+ |
TO-252 |
30000 |
原裝現(xiàn)貨,假一賠十. |
詢價(jià) | ||
AOS/萬(wàn)代 |
23+ |
TO-252 |
24190 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
AOS/萬(wàn)代 |
24+ |
TO-252 |
498548 |
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價(jià) | ||
AOS |
17+ |
TO-252 |
60000 |
保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票 |
詢價(jià) | ||
AOS |
19+ |
TO-252 |
60 |
原裝正品現(xiàn)貨實(shí)數(shù)庫(kù)存 |
詢價(jià) | ||
AOS |
22+ |
TO-252 |
8000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
AOS/萬(wàn)代 |
2019+ |
TO-252 |
3470 |
原廠渠道 可含稅出貨 |
詢價(jià) | ||
AOS/萬(wàn)代 |
24+ |
TO252 |
618 |
原廠授權(quán)代理 價(jià)格絕對(duì)優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) |
