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AOT42S60L	文件：511.62 Kbytes Page：6 Pages	600V37AaMOS GeneralDescription TheAOT42S60&AOB42S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications. ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchecapabilityth	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
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AOTF42S60	文件：127.65 Kbytes Page：1 Pages	PACKAGEMARKINGDESCRIPTION	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AOTF42S60	文件：36.63 Kbytes Page：5 Pages	600V42AaMOSTMPowerTransistor Thisreportappliesfor600V42AαMOSTMPowerTransistorAOTF42S60. AOTF42S60hasbeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications. ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguara	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
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AOTF42S60L	文件：280.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?Besuitableforsynchronousrectificationforserverand generalpurposeapplications ?FEATURES ?DrainCurrent–ID=39A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=99mΩ(Max) ?100avalanchetested ?Minimum	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

技術(shù)參數(shù)

Status：
Full Production
Package：
TO263
Configuration：
Single - N
Vds/V：
600
Vgs/V：
30
Id(A)(25℃)：
37
Id(A)(75℃)：
23
Pd(W)(25℃)：
417
Pd(W)(75℃)：
3.3
Rds (on) mΩ max(10V)：
0.109
Qg (nC)：
40

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市萬佳誠業(yè)科技有限公司	AOB42S60L	AOS/萬代	23+	TO-263	26800	專業(yè)幫助客戶找貨配單,誠信可靠!	詢價
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