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AO4924

Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

GeneralDescription TheAO4924usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThetwoMOSFETsmakeacompactandefficientswitchandsynchronousrectifiercombinationforuseinDC-DCconverters.AmonolithicallyintegratedSchottkydiodeinparallelwiththe

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體

AO4924

Asymmetric Dual N-Channel MOSFET

GeneralDescription TheAO4924usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThetwoMOSFETsmakeacompactandefficientswitchandsynchronousrectifiercombinationforuseinDC-DCconverters.AmonolithicallyintegratedSchottkydiodeinparallelwiththe

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體

AO4924

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/4924/marking.html">4924；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET

■Features N-Channel1 ●VDS(V)=30V ●ID=9A(VGS=10V) ●RDS(ON)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

AO4924

Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?TrenchFET??PowerMOSFET ?100RgTested ?100UISTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?NotebookSystemPower ?LowCurrentDC/DC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

AO4924

低壓MOSFET (12V - 30V);

Alpha and Omega Semiconductor采用先進的300mm和200mm工藝技術(shù)制造出性能領(lǐng)先的低壓MOSFET。這些產(chǎn)品為DCDC、負(fù)載開關(guān)、BLDC及電源等應(yīng)用量身定做。\n

AOSAlpha & Omega Semiconductor（AOS）

美國萬代美國萬代半導(dǎo)體

AO4924_11

Asymmetric Dual N-Channel MOSFET

GeneralDescription TheAO4924usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThetwoMOSFETsmakeacompactandefficientswitchandsynchronousrectifiercombinationforuseinDC-DCconverters.AmonolithicallyintegratedSchottkydiodeinparallelwiththe

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    AO4924

  • 功能描述：

    MOS N CH DUAL 30V 9A 7.3A SOIC

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列：

    SRFET™

  • 產(chǎn)品目錄繪圖：

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1

  • 系列：

    - FET

  • 型：

    2 個 N 溝道（雙） FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    - 功率 -

  • 最大：

    1.4W

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝：

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面：

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱：

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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