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AO4912L中文資料萬國半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

AO4912L
廠商型號(hào)

AO4912L

功能描述

Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

152.73 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Alpha & Omega Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

AOSMD萬國半導(dǎo)體

中文名稱

美國萬國半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-16 14:07:00

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AO4912L規(guī)格書詳情

General Description

The AO4912 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON)and low gate charge. The two

MOSFETs make a compact and efficient switch and synchronous rectifier combination for use in DC-DC

converters. A Schottky diode is co-packaged in parallel with the synchronous MOSFET to boost efficiency further

Standard Product AO4912 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4912L is a Green Product ordering option. AO4912 and AO4912L are electrically identical.

Features

Q1 Q2

VDS(V) = 30V VDS(V) = 30V

ID= 8.5A ID=7A (VGS= 10V)

RDS(ON) < 17m?<26m?(VGS= 10V)

RDS(ON)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    AO4912L

  • 制造商:

    AOSMD

  • 制造商全稱:

    Alpha & Omega Semiconductors

  • 功能描述:

    Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
AOSMD
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