AO4822A中文資料萬國(guó)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
AO4822A |
功能描述 | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
文件大小 |
116.63 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
4 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Alpha & Omega Semiconductors |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
AOSMD【萬國(guó)半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 美國(guó)萬國(guó)半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | AOSMD |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-5 23:01:00 |
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AO4822A規(guī)格書詳情
General Description
The AO4822A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4822A is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4822AL is a Green Product ordering option. AO4822A and AO4822AL are electrically identical.
特性 Features
VDS (V) = 30V
ID = 8.5A (VGS = 10V)
RDS(ON) < 16m? (VGS = 10V)
RDS(ON)
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
AO4822A
- 功能描述:
MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SOIC
- RoHS:
是
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
- 系列:
-
- 產(chǎn)品目錄繪圖:
8-SOIC Mosfet Package
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1
- 系列:
- FET
- 型:
2 個(gè) N 溝道(雙) FET
- 特點(diǎn):
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)(最大):
3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
- 功率 -
- 最大:
1.4W
- 安裝類型:
表面貼裝
- 封裝/外殼:
PowerPAK? SO-8
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
PowerPAK? SO-8
- 包裝:
Digi-Reel®
- 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名稱:
SI7948DP-T1-GE3DKR
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS/萬代 |
24+ |
NA/ |
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AOS |
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SOP-8 |
10048 |
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道??珊灡9┖贤?/div> |
詢價(jià) | ||
AOS |
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AOS/萬代 |
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