AO4805中文資料杜因特數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
AO4805規(guī)格書詳情
Description：
This Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
Features：
1) VDS=-30V,ID=-7A,RDS(ON)<20mΩ @VGS=-10V
2) Low gate charge.
3) Green device available.
4) Advanced high cell denity trench technology for ultra RDS(ON).
5) Excellent package for good heat dissipation.
產(chǎn)品屬性
- 型號：
AO4805
- 功能描述：
MOSFET DUAL P-CH -30V -8A 8-SOIC
- RoHS：
是
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
- 系列：
-
- 產(chǎn)品目錄繪圖：
8-SOIC Mosfet Package
- 標準包裝：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 個 N 溝道（雙） FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安裝類型：
表面貼裝
- 封裝/外殼：
PowerPAK? SO-8
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
PowerPAK? SO-8
- 包裝：
Digi-Reel®
- 產(chǎn)品目錄頁面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名稱：
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS/萬代 |
24+ |
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