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AO4614B中文資料科信電子數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AO4614B
廠商型號

AO4614B

功能描述

Complementary Trench MOSFET

絲印標識

4614B

封裝外殼

SOP-8

文件大小

1.62947 Mbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商

KEXIN

中文名稱

科信電子

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-6 20:00:00

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AO4614B規(guī)格書詳情

■ Features

● N-Channel :

VDS (V) = 40V

ID = 6 A (VGS = 10V)

RDS(ON) < 30mΩ (VGS = 10V)

RDS(ON) < 38mΩ (VGS = 4.5V)

● P-Channel :

VDS (V) = -40V

ID = -5 A (VGS = -10V)

RDS(ON) < 45mΩ (VGS = -10V)

RDS(ON) < 63mΩ (VGS = -4.5V)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    AO4614B

  • 功能描述:

    MOSFET DUAL P+N CH 40V 5A SOIC8

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列:

    -

  • 產(chǎn)品目錄繪圖:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標準包裝:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 個 N 溝道(雙) FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    PowerPAK? SO-8

  • 供應商設備封裝:

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝:

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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