AO4485中文資料萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
AO4485 |
| 功能描述 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 文件大小 |
210.46 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
4 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | AOSMD |
| 中文名稱 | 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-16 18:26:00 |
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AO4485規(guī)格書詳情
General Description
The AO4485/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use as a DC-DC converter application.
AO4485 and AO4485L are electrically identical.
-RoHS Compliant
-AO4485L is Halogen Free
特性 Features
VDS (V) = -40V
ID = -10A (VGS = -10V)
RDS(ON) < 15m? (VGS = -10V)
RDS(ON)
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
AO4485
- 功能描述：
MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC
- RoHS：
是
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
-
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS(萬(wàn)代)/UMW(友臺(tái)) |
24+ |
SOP-8 |
5000 |
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詢價(jià) | ||
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AOS |
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AOS(萬(wàn)代) |
24+ |
SOIC-8 |
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詢價(jià) |
