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AO4446L中文資料萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

AO4446L
廠商型號(hào)

AO4446L

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

112.48 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

AOSMD

中文名稱

萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-10 20:44:00

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AO4446L規(guī)格書詳情

General Description

The AO4446 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate resistance. This device is ideally suited for use in PWM applications. Standard Product AO4446 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications).

AO4446L is a Green Product ordering option.

AO4446 and AO4446L are electrically identical.

特性 Features

VDS (V) = 30V

ID = 15A (VGS = 10V)

RDS(ON) < 8.5m? (VGS = 10V)

RDS(ON)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    AO4446L

  • 制造商:

    AOSMD

  • 制造商全稱:

    Alpha & Omega Semiconductors

  • 功能描述:

    N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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