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AO4442中文資料萬國半導體數據手冊PDF規(guī)格書

AO4442
廠商型號

AO4442

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

225.83 Kbytes

頁面數量

4

生產廠商

AOSMD

中文名稱

萬國半導體

網址

網址

數據手冊

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更新時間

2025-8-10 20:00:00

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AO4442規(guī)格書詳情

General Description

The AO4442 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages from 4.5V to 25V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4442 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4442L is a Green Product ordering option. AO4442 and AO4442L are electrically identical.

特性 Features

VDS (V) = 75V

ID = 3.1A (VGS = 10V)

RDS(ON) < 130m? (VGS = 10V)

RDS(ON)

產品屬性

  • 型號:

    AO4442

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 75V 3.1A 8SOIC

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
AOS/萬代
25+
SO-8
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百分百原裝現(xiàn)貨 實單必成 歡迎詢價
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免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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