AO4411中文資料萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
AO4411 |
功能描述 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
文件大小 |
114.41 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
4 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Alpha & Omega Semiconductors |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
AOSMD【萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | AOSMD |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-5 11:35:00 |
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AO4411規(guī)格書詳情
General Description
The AO4411 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4411 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4411L is a Green Product
ordering option. AO4411 and AO4411L are electrically identical.
特性 Features
VDS(V) = -30V
ID= -8 A (VGS= -10V)
RDS(ON) < 32m?(VGS= -10V)
RDS(ON) < 55m?(VGS= -4.5V)
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
AO4411
- 功能描述:
MOSFET P CH 30V 8A SOIC 8
- RoHS:
是
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列:
-
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn):
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS/萬(wàn)代 |
2023+ |
SOP |
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AOS |
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