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AO4411中文資料萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

AO4411
廠商型號(hào)

AO4411

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

114.41 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Alpha & Omega Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

AOSMD萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體

中文名稱

美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-5 11:35:00

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AO4411規(guī)格書詳情

General Description

The AO4411 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4411 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4411L is a Green Product

ordering option. AO4411 and AO4411L are electrically identical.

特性 Features

VDS(V) = -30V

ID= -8 A (VGS= -10V)

RDS(ON) < 32m?(VGS= -10V)

RDS(ON) < 55m?(VGS= -4.5V)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    AO4411

  • 功能描述:

    MOSFET P CH 30V 8A SOIC 8

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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