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AO4403中文資料萬國半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AO4403
廠商型號

AO4403

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

443.74 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

AOSMD

中文名稱

萬國半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-8 9:06:00

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AO4403規(guī)格書詳情

General Description

The AO4403 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.

Product Summary

VDS -30V

ID (at VGS=-10V) -6A

RDS(ON) (at VGS=-10V) < 48m?

RDS(ON) (at VGS =-4.5V) < 57m?

RDS(ON) (at VGS =-2.5V)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    AO4403

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH -30V -6.1A 8-SOIC

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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