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描述 Description
Schottky barrier diodes are not PN junctions, but diodes that utilize potential barriers between semiconductor materials and metal electrodes, e.g., Schottky barrier. They have lower forward voltage (VF) characteristics and shorter reverse recovery time (trr) than typical PN junction diodes, making them suitable for switching operation. However, the reverse current (IR) is larger than that of conventional PN diodes.
應用 Application
電源供應
工業(yè)設(shè)備
汽車（信息娛樂）
汽車（行車安全）
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號
：AMVSE05A045
- 生產(chǎn)廠家
：Kyocera
- AEC-Q
：AEC-Q101
- Outline
：TO-277
- VRRM [V]
：45V
- Io [A]
：5.0A
- IFSM [A]
：100.0A
- IR [mA]
：0.200mA
- VFM [V]
：0.55V
- @IFM [A]
：5.0A
- 工作溫度范圍
：-55℃ ~ 150℃
- Rth(j-c) [°C/W]
：2.5°C/W
- Connection type
：L
- 包裝形式
：Reel
- 每包數(shù)量
：3000
- 質(zhì)量
：0.086g
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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