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AM80610-030中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

AM80610-030
廠商型號(hào)

AM80610-030

功能描述

RF & MICROWAVE TRANSISTORS UHF COMMUNICATIONS APPLICATIONS

文件大小

44.57 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-1 12:00:00

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AM80610-030規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The AM80610-030 is a high power, common base NPN silicon bipolar device optimized for CW operation in the 620 - 960 MHz frequency range.

AM80610-030 utilizes a rugged, overlay, emitter ballasted L-Band die geometry to achieve high gain and collector efficiency and is suitable for driver or output stage use in Class C power amplifiers. Typical applications include military communications, ECM, and test equipment.

The AM80610-030 is provided in the industry standard, metal/ceramic AMPAC? hermetic package.

■ REFRACTORY/GOLD METALLIZATION

■ EMITTER SITE BALLASTED

■ INPUT/OUTPUT MATCHING

■ METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE

■ POUT = 30 W MIN. WITH 8.5 dB GAIN

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    AM80610-030

  • 制造商:

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全稱:

    STMicroelectronics

  • 功能描述:

    RF & MICROWAVE TRANSISTORS UHF COMMUNICATIONS APPLICATIONS

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST
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原廠原封
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