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AM2317	文件：825.78 Kbytes Page：9 Pages	MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION TheAM2317isavailableinSOT-23package. FEATURES ?-20V/-4.6A, RDS(ON)=48mΩ(Max.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=70mΩ(Max.)@VGS=-2.5V RDS(ON)=110mΩ(Max.)@VGS=-1.8V ?ReliableandRugged ?AvailableinSOT-23Package APPLICATIONS ?PowerManagementinNotebookComputer,P	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
AM2317	文件：300 bytes Page：1 Pages	SOT-23/SOT-23S 晶體管	AiT-SemiAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AiT-Semi
AM2317A	文件：651.7 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION AM2317AistheP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareusingtrenchDMOStechnology.Thisadvancedtrenchtechnologydevicesarewellsuitedforhighefficiencyfastswitchingapplications,lowin-linepowerlossareneededinsmalloutlinesurfacemountpackage.	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
AM2317AE3SR	文件：651.7 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION AM2317AistheP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareusingtrenchDMOStechnology.Thisadvancedtrenchtechnologydevicesarewellsuitedforhighefficiencyfastswitchingapplications,lowin-linepowerlossareneededinsmalloutlinesurfacemountpackage.	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
AM2317AE3SVR	文件：651.7 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION AM2317AistheP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareusingtrenchDMOStechnology.Thisadvancedtrenchtechnologydevicesarewellsuitedforhighefficiencyfastswitchingapplications,lowin-linepowerlossareneededinsmalloutlinesurfacemountpackage.	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
AM2317B	文件：660.47 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET -20V SINGLE P-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION V DS20V V GS=±8V ID(A)= 5.3A R DS(ON)ON)=31mΩ(Typ.)@VGS4.5V R DS(ON)ON)=40mΩ(Typ.)@VGS2.5V R DS(ON)50mΩ(Typ.)@VGS1.8V R DS(ON)60mΩ(Typ.)@VGS1.5V TheAM2317BisavailableinSOT-23package. FEATURES ?TrechDMOSTechnology ?1.5VLowgatedri	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
AM2317BE3R	文件：660.47 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET -20V SINGLE P-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION V DS20V V GS=±8V ID(A)= 5.3A R DS(ON)ON)=31mΩ(Typ.)@VGS4.5V R DS(ON)ON)=40mΩ(Typ.)@VGS2.5V R DS(ON)50mΩ(Typ.)@VGS1.8V R DS(ON)60mΩ(Typ.)@VGS1.5V TheAM2317BisavailableinSOT-23package. FEATURES ?TrechDMOSTechnology ?1.5VLowgatedri	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
AM2317BE3VR	文件：660.47 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET -20V SINGLE P-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION V DS20V V GS=±8V ID(A)= 5.3A R DS(ON)ON)=31mΩ(Typ.)@VGS4.5V R DS(ON)ON)=40mΩ(Typ.)@VGS2.5V R DS(ON)50mΩ(Typ.)@VGS1.8V R DS(ON)60mΩ(Typ.)@VGS1.5V TheAM2317BisavailableinSOT-23package. FEATURES ?TrechDMOSTechnology ?1.5VLowgatedri	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
AM2317E3R	文件：825.78 Kbytes Page：9 Pages	MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION TheAM2317isavailableinSOT-23package. FEATURES ?-20V/-4.6A, RDS(ON)=48mΩ(Max.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=70mΩ(Max.)@VGS=-2.5V RDS(ON)=110mΩ(Max.)@VGS=-1.8V ?ReliableandRugged ?AvailableinSOT-23Package APPLICATIONS ?PowerManagementinNotebookComputer,P	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
AM2317E3VR	文件：825.78 Kbytes Page：9 Pages	MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION TheAM2317isavailableinSOT-23package. FEATURES ?-20V/-4.6A, RDS(ON)=48mΩ(Max.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=70mΩ(Max.)@VGS=-2.5V RDS(ON)=110mΩ(Max.)@VGS=-1.8V ?ReliableandRugged ?AvailableinSOT-23Package APPLICATIONS ?PowerManagementinNotebookComputer,P	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI

技術(shù)參數(shù)

漏擊穿電壓(V)：
-20
柵級(jí)電壓 (V)：
±12
連續(xù)漏電流(A)(25°C)：
-4.6
閾值電壓(V) 最小值/最大值：
-0.5/-1.0
Vgs=±4.5V(mΩ) 型：
38
Vgs=±2.5V(mΩ) 型：
52
Vgs=±1.8V(mΩ) 型：
76
應(yīng)用：
PWM/Handheld
交叉參考：
Si2399

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