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AM1214-250中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
AM1214-250 |
功能描述 | RF POWER TRANSISTORS L-BAND RADAR APPLICATIONS |
文件大小 |
36.45 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
4 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-9-1 11:10:00 |
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AM1214-250規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The AM1214-250 is a rugged, Class C common base device designed for new L - Band medium & long pulse radar applications.
Minimal amplitude droop over a long pulse of 500 microsec. is guaranteed by a thermal design incorporating an overlay site-ballasted die geometry.
? REFRACTORY /GOLD METALLIZATION
? EMITTER SITE BALLASTING
? LOW RF THERMAL RESISTANCE
? INPUT/OUTPUT MATCHING
? OVERLAY GEOMETRY
? METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE
? POUT = 300 W MIN. WITH 8.0 dB GAIN
? 1215-1400 MHz OPERATION
產(chǎn)品屬性
- 型號:
AM1214-250
- 功能描述:
兩極晶體管 - BJT
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
PNP 集電極—基極電壓
- VCBO:
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO:
- 6 V
- 增益帶寬產(chǎn)品fT:
直流集電極/Base Gain hfe
- Min:
100 A
- 安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
- 封裝/箱體:
PowerFLAT 2 x 2
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
WALL |
23+ |
SMD |
38668 |
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詢價 | ||
24+ |
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