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BAS321-HF	文件：465.47 Kbytes Page：4 Pages	Small-SignalFastSwitchingDiodes Features -Fastswitchingspeed. -Lowleakagecurrent.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BAS321J	文件：195.37 Kbytes Page：12 Pages	High-voltageswitchingdiode 1.Generaldescription High-voltageswitchingdiodeinaverysmallSOD323F(SC-90)flatleadSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Highswitchingspeed:trr≤50ns ?Lowleakagecurrent:IR≤100nA ?HighreversevoltageVR≤200V ?Lowcapacitance:	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
BAS321-Q	文件：202.32 Kbytes Page：10 Pages	Generalpurposediode 1.Generaldescription GeneralpurposediodefabricatedinplanartechnologyandencapsulatedinaverysmallSOD323 (SC-76)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?SmallplasticSMDpackage ?Switchingspeed:max.50ns ?Generalapplication ?Continuousreversevoltage:max.200V	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
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BC321	文件：164.7 Kbytes Page：3 Pages	THEABOVETYPESAREPNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORSFORUSEINAFSMALLSIGNALAMPLIFIERSTAGESANDDIRECTCOUPLEDCIRCUITS THEABOVETYPESAREPNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORSFORUSEINAFSMALLSIGNALAMPLIFIERSTAGESANDDIRECTCOUPLEDCIRCUITS.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BC321	文件：248.37 Kbytes Page：3 Pages	THEABOVETYPESAREPNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORSFORUSEINAFSMALLSIGNALAMPLIFIERSTAGESANDDIRECTCOUPLEDCIRCUITS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BCR321U	文件：133.25 Kbytes Page：12 Pages	LEDDriver	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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