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AKT20P65G數(shù)據(jù)手冊ALKAIDSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

AKT20P65G

功能描述

溝槽MOSFET

制造商

ALKAIDSEMI

中文名稱

瑤芯微電子 瑤芯微(上海)電子科技股份有限公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-16 14:01:00

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AKT20P65G規(guī)格書詳情

描述 Description

為了降低硬開關(guān)電路開關(guān)損耗,提高開關(guān)速度,瑤芯微電子推出了SGT(split gate trench)系列中低壓MOSFET。因其和常規(guī)溝槽工藝結(jié)構(gòu)顯著區(qū)別,隔離柵極(SGT)可以做到小的Qgd電荷,使米勒平臺盡快渡過。并且工藝上對體二極管恢復(fù)時間做優(yōu)化,很大幅度抑制了開關(guān)振蕩,進(jìn)一步減小開關(guān)損耗,使開關(guān)曲線快速又柔和。結(jié)合低導(dǎo)通電阻(Ron),使整個系統(tǒng)發(fā)熱降低,提高系統(tǒng)效率?,幮疚⒌腟GT mos的電壓范圍覆蓋30V-200V范圍各種電流規(guī)格以及各種封裝方式,方便用戶選用。適合電機(jī)驅(qū)動,快充,開關(guān)電源,LED等系統(tǒng)應(yīng)用。

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :AKT20P65G

  • 生產(chǎn)廠家

    :ALKAIDSEMI

  • Package

    :PDFN5*6

  • Cfg.

    :P

  • ESD

    :N

  • VDS(V)

    :-20

  • Vgs(V)

    :12

  • ID(A)

    :-65

  • Vth(V)

    :-0.7

  • Rds-on(mΩ)_Typ@10V

    :/

  • Rds-on(mΩ)_Max@10V

    :/

  • Rds-on(mΩ)_Typ@4.5V

    :5.6

  • Rds-on(mΩ)_Max@4.5V

    :7

  • Rds-on(mΩ)_Typ@2.5V

    :7

  • Rds-on(mΩ)_Max@2.5V

    :9

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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