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AFGY160T65SPD-B4分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
AFGY160T65SPD-B4 |
參數(shù)屬性 | AFGY160T65SPD-B4 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT - 650V, 160A FIELD STOP TRE |
功能描述 | Field Stop Trench IGBT With Soft Fast Recovery Diode and VCESAT, VTH Binning |
絲印標(biāo)識 | |
封裝外殼 | TO-247-3LD / TO-247-3 |
文件大小 |
2.58508 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
11 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ONSEMI |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-8-7 9:06:00 |
人工找貨 | AFGY160T65SPD-B4價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
AFGY160T65SPD-B4規(guī)格書詳情
AFGY160T65SPD-B4屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的AFGY160T65SPD-B4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
AFGY160T65SPD-B4
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
Automotive, AEC-Q100
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.05V @ 15V,160A
- 開關(guān)能量:
12.4mJ(開),5.7mJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
53ns/98ns
- 測試條件:
400V,160A,5歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247-3
- 描述:
IGBT - 650V, 160A FIELD STOP TRE
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
47000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
ON |
24+ |
TO-247-3 |
25000 |
ON全系列可訂貨 |
詢價(jià) | ||
ONSEMI |
22 |
SOP12 |
1599000 |
全新、原裝 |
詢價(jià) | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
T-247 |
60000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Vishay |
24+ |
con |
2500 |
奧倫德品牌降本替代型號ORPC816 |
詢價(jià) | ||
ON/ |
24+ |
NA |
5000 |
十年沉淀唯有原裝 |
詢價(jià) | ||
ON/ |
22+23+ |
NA |
8000 |
新到現(xiàn)貨,只做原裝進(jìn)口 |
詢價(jià) | ||
ON/ |
23+ |
NA |
20000 |
詢價(jià) | |||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-247 |
928 |
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù) |
詢價(jià) | ||
onsemi/安森美 |
兩年內(nèi) |
NA |
2 |
實(shí)單價(jià)格可談 |
詢價(jià) |