首頁 >AES2810-C-IB-TR-BBOC>規(guī)格書列表
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6-row85mALEDdriverwithboost | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán) | STMICROELECTRONICS | ||
N-Channel80V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司 | DOINGTER | ||
80VN-ChannelMOSFET | AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體 | AOSMD | ||
IscN-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
DFN2X2PACKAGEMARKINGDESCRIPTION | AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體 | AOSMD | ||
DFN2X2PACKAGEMARKINGDESCRIPTION | AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體 | AOSMD | ||
1.0AHigh-sidePowerDistributionSwitchwithEnableandFlag | BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新進(jìn)半導(dǎo)體上海新進(jìn)半導(dǎo)體制造有限公司 | BCDSEMI | ||
1.0AHigh-sidePowerDistributionSwitchwithEnableandFlag Features ?LowMOSFETonResistance:60mΩ@VIN=5.0V ?ComplianttoUSBSpecifications ?OperatingVoltageRange:2.7Vto5.5V ?LowSupplyCurrent:65μA(Typ) ?LowShutdownCurrent:1.0μA(Max) ?Guarantee1.0AContinuousLoad ?CurrentLimit:1.1A(Min),2.1A(Max) ?Under-voltageLockou | DIODESDiodes Incorporated 美臺半導(dǎo)體 | DIODES | ||
2.8X1.0mmRIGHTANGLESMDCHIPLEDLAMP | KingbrightKingbright Company LLC 今臺電子今臺電子股份有限公司 | Kingbright |
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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