描述 Description

ADuM4146是一款單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，專門針對(duì)驅(qū)動(dòng)碳化硅(SiC)、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)進(jìn)行了優(yōu)化。ADI公司的iCoupler?技術(shù)在輸入信號(hào)與輸出柵極驅(qū)動(dòng)器之間實(shí)現(xiàn)隔離。

ADuM4146包含米勒箝位，以便柵極電壓小于2 V時(shí)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健的SiC單軌電源關(guān)斷。輸出側(cè)可以由單電源或雙電源供電，是否使能米勒箝位功能也可以進(jìn)行配置。

ADI公司芯片級(jí)變壓器還提供芯片高壓側(cè)與低壓側(cè)之間的控制信息隔離通信。芯片狀態(tài)信息可從專用輸出讀取。當(dāng)器件副邊出現(xiàn)故障時(shí)，可以在原邊對(duì)復(fù)位操作進(jìn)行控制。

去飽和檢測電路集成在ADuM4146上，提供高壓短路SiC工作保護(hù)。去飽和保護(hù)包含降低噪聲干擾的功能，比如在開關(guān)動(dòng)作之后提供300ns的屏蔽時(shí)間，用來屏蔽初始導(dǎo)通時(shí)產(chǎn)生的電壓尖峰（參見數(shù)據(jù)手冊(cè)中的圖17）。可選內(nèi)部500 μA電流源有助于降低器件數(shù)量；如需提高抗噪水平，內(nèi)部消隱開關(guān)也支持使用外部電流源。

考慮到通用SiC和絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)電平，A級(jí)副邊欠壓閉鎖(UVLO)設(shè)置為14.5 V，B級(jí)和C級(jí)設(shè)置為11.5 V（典型值）。

特性 Features

? 11 A 短路拉電流（0 Ω 柵極電阻）

? 9 A 短路灌電流（0 Ω 柵極電阻）

? 4.61 A 峰值電流（2 Ω 柵極電阻）

? 輸出功率套件電阻：<1 Ω

? 輸出電壓范圍高達(dá) 30 V

? VDD2 上存在多個(gè)欠壓鎖定 (UVLO) 選項(xiàng)
? A 級(jí)：VDD2 上的 14.5 V（典型值）UVLO 正向閾值

? B 級(jí)和 C 級(jí)：VDD2 上的 11.5 V（典型值）UVLO 正向閾值




? VDD1 輸入電壓范圍為 2.5 V 至 6 V

? 去飽和保護(hù)
? 發(fā)生去飽和故障時(shí)軟關(guān)斷

應(yīng)用 Application

? SiC/MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器
? 光伏(PV)逆變器
? 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
? 電源