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AOTF20C60	文件：79.64 Kbytes Page：3 Pages	PlasticEncapsulatedDevice	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AOTF20C60P	文件：296.21 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
AOTF20C60P	文件：462.05 Kbytes Page：6 Pages	600V,20AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AOTF20C60PL	文件：462.05 Kbytes Page：6 Pages	600V,20AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AOW20C60	文件：83.33 Kbytes Page：3 Pages	PlasticEncapsulatedDevice	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AOW20C60	文件：314.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
DSA20C60PN	文件：97.51 Kbytes Page：4 Pages	HighPerformanceSchottkyDiodeLowLossandSoftRecoveryCommonCathode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
DSB20C60PN	文件：97.25 Kbytes Page：4 Pages	HighPerformanceSchottkyDiodeLowLossandSoftRecoveryCommonCathode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
F20C60A	文件：605.88 Kbytes Page：2 Pages	20.0AmpereDualCommonAnodeFastRecoveryRectifierDiode	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
F20C60A	文件：760.47 Kbytes Page：2 Pages	20AmpereHeatSinkDualCommonAnodeFastRecoveryHalfRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI

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