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MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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SwitchingRegulatorApplications ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=0.45?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:?Yfs?=7.5S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=600V) ?Enhancement-mode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)

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無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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FieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(DTMOS??

SwitchingRegulatorApplications ?Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.36?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:?Yfs?=7.0S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=600V) ?Enhancement-mode:Vth=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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