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ADS065J020E3中文資料三安光電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

ADS065J020E3
廠商型號(hào)

ADS065J020E3

功能描述

3 rd Generation 650V /20A SiC Schottky Barrier Diode

絲印標(biāo)識(shí)

DS065020E3

封裝外殼

TO-263-2L

文件大小

1.08429 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

SANAN

中文名稱

三安光電

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-22 23:01:00

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ADS065J020E3規(guī)格書(shū)詳情

AEC Q 101 qualified

Revolutionary semiconductor material Silicon Carbide (SiC)

N o reverse recovery

High speed switching performance

Temperature independent switching behavior

System cost / size savings due to reduced cooling requirements

J unction temperature range from 55 to 175

RoHS compliant

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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