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ADS065J020E3中文資料三安光電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

廠商型號(hào) |
ADS065J020E3 |
功能描述 | 3 rd Generation 650V /20A SiC Schottky Barrier Diode |
絲印標(biāo)識(shí) | |
封裝外殼 | TO-263-2L |
文件大小 |
1.08429 Mbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
9 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | SANAN |
中文名稱 | 三安光電 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-22 23:01:00 |
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ADS065J020E3規(guī)格書(shū)詳情
AEC Q 101 qualified
Revolutionary semiconductor material Silicon Carbide (SiC)
N o reverse recovery
High speed switching performance
Temperature independent switching behavior
System cost / size savings due to reduced cooling requirements
J unction temperature range from 55 to 175
RoHS compliant
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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TI(德州儀器) |
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TI |
2016+ |
SOT23-6 |
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