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ADRF5345

高線性度硅SP4T開(kāi)關(guān)，1.8 GHz至3.8 GHz; ? 反射式設(shè)計(jì)\n\n? 低插入損耗\n\n? 0.35 dB 至 2.8 GHz（典型值）\n\n? 0.40 dB 至 3.8 GHz（典型值）\n\n\n\n? TCASE = 105°C 時(shí)具有高功率處理能力\n\n? 長(zhǎng)期（>10 年）平均值\n\n? 連續(xù)波功率：39 dBm\n\n? 長(zhǎng)期演進(jìn)信號(hào)\n\n? 平均功率：39 dBm\n\n? 峰值功率：49 dBm;

ADRF5345是一款高線性度、反射式、單刀四擲(SP4T)開(kāi)關(guān)，采用硅工藝制造。\n\n ADRF5345的工作頻率范圍為1.8 GHz至3.8 GHz，具有低于0.40 dB的典型插入損耗以及84 dBm的典型輸入IP3。針對(duì)長(zhǎng)期演進(jìn)(LTE)信號(hào)，該器件具有39 dBm（連續(xù)波信號(hào)）、39 dBm（平均值）和49 dBm（峰值）的RF輸入功率處理能力。\n\n ADRF5345集成負(fù)電壓發(fā)生器(NVG)，可采用施加于VDD引腳的5 V (VDD)單正電源供電，同時(shí)消耗2 mA的電源電流。該器件利用低壓互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(LVCMOS)/低壓晶體管對(duì)晶體管邏輯(LVTTL)兼容控制。\n\n ADRF5345采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的4 mm × 4 mm、22引腳、基板柵格陣列(LGA)封裝，工作溫度范圍為?40°C至+105°C。\n\n

ADRF5345

High Linearity, Silicon SP4T Switch, 1.8 GHz to 3.8 GHz

ADRF5345BCCZN

High Linearity, Silicon SP4T Switch, 1.8 GHz to 3.8 GHz

ADRF5345BCCZN-R7

High Linearity, Silicon SP4T Switch, 1.8 GHz to 3.8 GHz

ADRF5345BCCZN-RL

High Linearity, Silicon SP4T Switch, 1.8 GHz to 3.8 GHz

ADRF5345-EVALZ

High Linearity, Silicon SP4T Switch, 1.8 GHz to 3.8 GHz