描述 Description

ADN2850是一款雙通道非易失性存儲(chǔ)器和1024步分辨率的數(shù)字控制電阻器，保證最大電阻容差誤差僅為±8%。該器件可實(shí)現(xiàn)與機(jī)械可變電阻器相同的電子調(diào)整功能，而且具有增強(qiáng)的分辨率、固態(tài)可靠性和出色的低溫度系數(shù)性能。ADN2850通過(guò)SPI?兼容型串行接口進(jìn)行多功能編程，提供16種工作和調(diào)整模式，包括：暫存編程、存儲(chǔ)器存儲(chǔ)和恢復(fù)、遞增/遞減、±6 dB/步對(duì)數(shù)抽頭調(diào)整、游標(biāo)設(shè)置回讀、以及用于存儲(chǔ)其它器件的存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)、查找表或系統(tǒng)識(shí)別信息等用戶自定義信息的額外EEMEM。

在暫存編程模式下，可以直接將具體設(shè)置編程至RDAC寄存器，使其設(shè)置W端與B端之間的電阻。該設(shè)置信息可以存儲(chǔ)于EEMEM之中，系統(tǒng)加電時(shí)會(huì)自動(dòng)恢復(fù)至RDAC寄存器。

EEMEM內(nèi)容可以動(dòng)態(tài)恢復(fù)，也可通過(guò)外部PR選通恢復(fù)；EEMEM中的內(nèi)容由一個(gè)WP函數(shù)加以保護(hù)。為了簡(jiǎn)化編程，可以利用獨(dú)立或同步線性步進(jìn)遞增或遞減命令來(lái)上下移動(dòng)RDAC游標(biāo)，一次一步。對(duì)于游標(biāo)設(shè)置中的對(duì)數(shù)±6 dB變化，可以利用左/右位移命令來(lái)倍增或減半RDAC游標(biāo)設(shè)置。

ADN2850的模式電阻容差存儲(chǔ)在EEMEM中。因此，實(shí)際的滿量程電阻可以通過(guò)主機(jī)處理器在回讀模式得知。主機(jī)可以通過(guò)軟件程序執(zhí)行適當(dāng)?shù)碾娮璨竭M(jìn)，這樣可以簡(jiǎn)化開(kāi)環(huán)應(yīng)用以及精密校準(zhǔn)和容差匹配應(yīng)用。

ADN2850采用5 mm × 5 mm 16引腳架構(gòu)芯片級(jí) LFCSP和薄型16引腳TSSOP封裝。保證工作溫度范圍為?40°C至+85°C擴(kuò)展工業(yè)溫度范圍。

特性 Features

? 雙通道、1024位分辨率

? 標(biāo)稱電阻：25 kΩ、250 kΩ

? 標(biāo)稱電阻容差誤差：±8%（最大值）

? 低溫度系數(shù)：35 ppm/°C

? 2.7 V至5 V單電源或±2.5 V雙電源

? 電流監(jiān)控可配置功能

? SPI兼容型串行接口

? 非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)游標(biāo)設(shè)置

? 加電刷新EEMEM設(shè)置

? 永久性存儲(chǔ)器寫(xiě)保護(hù)

? 電阻容差儲(chǔ)存于EEMEM中

? 26字節(jié)額外非易失性存儲(chǔ)器，用于存儲(chǔ)用戶定義信息

? 1M編程周期

? 典型數(shù)據(jù)保留期：100年

應(yīng)用 Application

? SONET、SDH、ATM、千兆以太網(wǎng)、DWDM激光二極管驅(qū)動(dòng)器、光學(xué)監(jiān)控系統(tǒng)
? 機(jī)械變阻器的替代產(chǎn)品
? 儀器儀表增益調(diào)整
? 可編程濾波器、延遲、時(shí)間常數(shù)
? 傳感器校準(zhǔn)

簡(jiǎn)介

ADN2850屬于集成電路（IC）的數(shù)字電位計(jì)。由制造生產(chǎn)的ADN2850數(shù)字電位計(jì)數(shù)字電位器是一系列集成電路器件，可提供類(lèi)似于傳統(tǒng)機(jī)械電位器或變阻器的可調(diào)節(jié)電阻，但通過(guò)電子信號(hào)而非機(jī)械輸入來(lái)進(jìn)行控制。雖然這些器件的電阻可耗散的電能相對(duì)有限，但其電子控制能力有助于小型化、自動(dòng)化和遠(yuǎn)程控制信號(hào)級(jí)模擬電路，而這些電路本來(lái)可能會(huì)使用機(jī)械電位器。