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ADM3N06B

Marking：L8L3V；Package：SOT-23；N -C hannel E nhancem ent M ode Field E ffect Transistor

ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd

愛(ài)德微愛(ài)德微(深圳)電子有限公司

LMTL3N06

60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

MMDF3N06HD

N??hannelSO??,DualPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MMDF3N06HD

DUALTMOSPOWERMOSFET60VOLTS

MediumPowerSurfaceMountProducts TMOSDualN-ChannelFieldEffectTransistors DualHDTMOSareanadvancedseriesofpowerMOSFETswhichutilizeMotorola’sHighCellDensityTMOSprocess.TheseminiaturesurfacemountMOSFETsfeaturelowRDS(on)andtruelogiclevelperformance.DualHDTMOSde

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MMDF3N06VL

PowerMOSFET3Amps,60VoltsN??hannelSO??,Dual

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

RD3N06BAT

Pch-80V-60APowerMOSFET

Features 1)Lowon-resistance 2)Highpowerpackage(TO-252) 3)Pb-freeplating;RoHScompliant 4)Halogenfree 5)100%RgandUIStested Application Switching Motordrives

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

UT3N06

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

UT3N06

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

UT3N06-Q

3.0A,60VN-CHANNELPOWER

?DESCRIPTION TheUTCUT3N06isanN-channelpowerMOSFETproviding verylowon-resistance.Ithashighefficiencyandperfect cost-effectiveness.Itcanbegenerallyappliedinthecommercial andindustrialfields. ?FEATURES *RDS(ON)≤110mΩ@VGS=10V,ID=3.0A RDS(ON)≤150mΩ@VGS

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多ADM3N06B供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-16 9:14:00

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