描述 Description

ADG1211 / ADG1212 /ADG1213均為單芯片互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件，內(nèi)置四個(gè)采用 iCMOS? （工業(yè)CMOS）工藝設(shè)計(jì)的獨(dú)立可選開關(guān)。 iCMOS是一種模塊式制造工藝，集高電壓CMOS與雙極性技術(shù)于一體。利用這種工藝，可以開發(fā)工作電壓達(dá)33 V的各種高性能模擬IC，并實(shí)現(xiàn)以往的高壓器件所無法實(shí)現(xiàn)的尺寸。與采用傳統(tǒng)CMOS工藝的模擬IC不同， iCMOS器件不但可以承受高電源電壓，同時(shí)還能提升性能、大幅降低功耗并減小封裝尺寸。

這些開關(guān)具有超低電容和電荷注入特性，因而是要求低毛刺和快速建立時(shí)間的數(shù)據(jù)采集與采樣保持應(yīng)用的理想解決方案。較快的開關(guān)速度及高信號(hào)帶寬，使這些器件適合視頻信號(hào)切換應(yīng)用。

iCMOS結(jié)構(gòu)可確保功耗極低，因而這些器件非常適合便攜式電池供電儀表。

ADG1211 / ADG1212 / ADG1213內(nèi)置四個(gè)獨(dú)立的單極/單擲(SPST)開關(guān)。ADG1211和ADG1212的唯一不同之處就是數(shù)字控制邏輯相反。ADG1211開關(guān)的接通條件是相關(guān)控制輸入為邏輯0，而ADG1212則要求邏輯1。ADG1213有兩個(gè)開關(guān)的數(shù)字控制邏輯與ADG1211相似；但其它兩個(gè)開關(guān)的控制邏輯則相反。ADG1213為先開后合式開關(guān)，適合多路復(fù)用器應(yīng)用。

當(dāng)接通時(shí)，各開關(guān)在兩個(gè)方向的導(dǎo)電性能相同，輸入信號(hào)范圍可擴(kuò)展至電源電壓范圍。在斷開條件下，達(dá)到電源電壓的信號(hào)電平被阻止。

產(chǎn)品特色 超低電容 電荷注入小于1 pC。 3 V邏輯兼容數(shù)字輸入：VIH = 2.0 V，VIL = 0.8 V。 無需VL 邏輯電源。 超低功耗：<0.03 μW。 16引腳TSSOP和3 mm × 3 mm LFCSP封裝。

特性 Features

? 1 pF關(guān)斷電容

? 2.6 pF導(dǎo)通電容

? 電荷注入小于1 pC

? 電源電壓范圍：33 V

? 導(dǎo)通電阻：120 Ω

? 額定電源電壓：±15 V、+12 V

? 無需 VL 電源

? 3 V邏輯兼容輸入

? 軌到軌工作

? 16引腳TSSOP和16引腳LFCSP封裝

? 典型功耗：<0.03 μW