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IRF7478PBF	文件：128.38 Kbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET Benefits ●LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF
IRF7478PBF	文件：133.78 Kbytes Page：8 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters Benefits ●LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF
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IRF7478QPBF	文件：194.6 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheseHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesebenefitscombinetomakethisdesignanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications. TheefficientSO-8pa	IRF International Rectifier	IRF
IRF7478QTRPBF	文件：194.6 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheseHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesebenefitscombinetomakethisdesignanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications. TheefficientSO-8pa	IRF International Rectifier	IRF
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IRF7478TRPBF	文件：1.88222 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
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