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IRF7476	文件：336.43 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET Benefits VDS(V)=12V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRF7476-HF	文件：2.01263 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
IRF7476PBF	文件：162.88 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=12V,RDS(on)max=8.0m廓@VGS=4.5V,ID=15A) Benefits ●Ultra-LowGateImpedance ●VeryLowRDS(on) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequency3.3Vand5VinputPoint-of-Load SynchronousBuckConvertersfor NetcomandComputingApplications. ●PowerManagementforNetcom, Computingand	IRF International Rectifier	IRF
IRF7476TR	文件：372.28 Kbytes Page：8 Pages	HighFrequency3.3Vand5VinputPoint-of-LoadSynchronousBuckConvertersfor Applications HighFrequency3.3Vand5VinputPointof- LoadSynchronousBuckConvertersfor NetcomandComputingApplications. PowerManagementforNetcom, ComputingandPortableApplications. Lead-Free	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRF7476TR	文件：336.43 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET Benefits VDS(V)=12V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRF7476TRPBF	文件：162.88 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=12V,RDS(on)max=8.0m廓@VGS=4.5V,ID=15A) Benefits ●Ultra-LowGateImpedance ●VeryLowRDS(on) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequency3.3Vand5VinputPoint-of-Load SynchronousBuckConvertersfor NetcomandComputingApplications. ●PowerManagementforNetcom, Computingand	IRF International Rectifier	IRF
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N7476N	文件：146.44 Kbytes Page：2 Pages	DUALJKFLIP-FLOP [Signetics]	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
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PJC7476-AU	文件：559.51 Kbytes Page：6 Pages	100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET–ESDProtected Features ?RDS(ON),VGS@10V,ID@300mA	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT

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