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ACE9926B中文資料ACE數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

ACE9926B
廠商型號(hào)

ACE9926B

功能描述

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

735.63 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商

ACE

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-7 20:00:00

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ACE9926B規(guī)格書詳情

描述 Description

The ACE9926B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. They offer operation over a wide gate drive range from 2.5V to 12V. The two devices may be used individually, in parallel or to form a bidirectional blocking switch.

特性 Features

? VDS(V)=20V

? ID=6A (VGS=4.5V)

? RDS(ON)<30mΩ (VGS=4.5V)

? RDS(ON)

?

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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