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IIRFR3910

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?Fastswitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤115m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRD3910

20AND30AMPFASTRECOVERYRECTIFIERDIODES

Description ThisrangeoffastrecoverydiodesisdesignedforapplicationsinDCpowersupplies,inverters,choppers,ultrasonicsystemandforuseasafree-wheelingdiode. Features ■Shortreverserecoverytime ■Lowstoredcharge ■Widecurrentrange ■Excellentsurgecapabilities ■Stu

IRF

International Rectifier

IRD3910

RectifiersFastRecovery

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IRFR3910

PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds=0.115ohm,Id=16A)

IRF

International Rectifier

IRFR3910

UltraLowOn-Resistance

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFR3910

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?Fastswitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤115m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFR3910

TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.

Features VDS(V)=100V ID=16A(VGS=10V) RDS(ON)=115mW(VGS=10V)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

IRFR3910

MOSFET

Description TheD-PAKisdesignedforsurfacemounting usingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques. Powerdissipationlevelsupto1.5watts arepossibleintypicalsurfacemountapplications. Features VDS(V)=100V ID=16A(VGS=10V) RDS(ON)=115mW(VGS=10V)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

IRFR3910PBF

HEXFETPowerMOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRF

International Rectifier

IRFR3910PBF

ULTRALOWONRESISTANCE

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    A3910EEETR-T

  • 制造商：

    Allegro MicroSystems

  • 類別：

    集成電路（IC） > 電機驅(qū)動器，控制器

  • 包裝：

    管件

  • 電機類型 - AC，DC：

    有刷直流

  • 功能：

    驅(qū)動器 - 全集成，控制和功率級

  • 輸出配置：

    半橋（2）

  • 接口：

    并聯(lián)

  • 技術(shù)：

    功率 MOSFET

  • 應(yīng)用：

    電池供電

  • 電流 - 輸出：

    500mA

  • 電壓 - 供電：

    2.5V ~ 5.5V

  • 電壓 - 負載：

    2.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-UFDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-DFN（2x2）

  • 描述：

    IC MOTOR DRIVER 2.5V-5.5V 8DFN

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多A3910EEETR-T供應(yīng)商 更新時間2025-7-15 18:19:00

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