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QPA0106

1.0–6.0GHz18WGaNPowerAmplifier

KeyFeatures ?FrequencyRange:1–6GHz ?PSAT:42.7dBm(PIN=19dBm) ?PAE:>40(PIN=19dBm) ?PowerGain:24dB(PIN=19dBm) ?SmallSignalGain:>31dB ?Bias:VD=22V,IDQ=1022mA ?PackageDimensions:7.00x7.00x0.85mm Performanceistypicalacrossfrequency.Please

QORVOQorvo, Inc

威訊聯(lián)合威訊聯(lián)合半導(dǎo)體(德州)有限公司

QPA0106EVB

1.0–6.0GHz18WGaNPowerAmplifier

KeyFeatures ?FrequencyRange:1–6GHz ?PSAT:42.7dBm(PIN=19dBm) ?PAE:>40(PIN=19dBm) ?PowerGain:24dB(PIN=19dBm) ?SmallSignalGain:>31dB ?Bias:VD=22V,IDQ=1022mA ?PackageDimensions:7.00x7.00x0.85mm Performanceistypicalacrossfrequency.Please

QORVOQorvo, Inc

威訊聯(lián)合威訊聯(lián)合半導(dǎo)體(德州)有限公司

QPM0106

1.0–6.0GHz35WGaNPowerAmplifier

Applications ?ElectronicWarfare ?Radar ?TestInstrumentation ?Communications KeyFeatures ?FrequencyRange:1–6GHz ?PSAT:45.4dBm(PIN=23dBm) ?PAE:41%(PIN=23dBm) ?PowerGain:22.4dB(PIN=23dBm) ?SmallSignalGain:30.2dB ?Bias:VD=24V,IDQ=2044mA

QORVOQorvo, Inc

威訊聯(lián)合威訊聯(lián)合半導(dǎo)體(德州)有限公司

QPM0106EVB

1.0–6.0GHz35WGaNPowerAmplifier

Applications ?ElectronicWarfare ?Radar ?TestInstrumentation ?Communications KeyFeatures ?FrequencyRange:1–6GHz ?PSAT:45.4dBm(PIN=23dBm) ?PAE:41%(PIN=23dBm) ?PowerGain:22.4dB(PIN=23dBm) ?SmallSignalGain:30.2dB ?Bias:VD=24V,IDQ=2044mA

QORVOQorvo, Inc

威訊聯(lián)合威訊聯(lián)合半導(dǎo)體(德州)有限公司

RA0106A

RectifierAssembly

SSDI

Solid States Devices, Inc

RC0106B

RECTIFIER

SSDI

Solid States Devices, Inc

RD0106T

LowVF??High-SpeedSwitchingDiode

DiffusedJunctionSiliconDiode Features ?Highbreakdownvoltage(VRRM=600V) ?Fastreverserecoverytime ?Lowforwardvoltage(VFmax=1.3V) ?Lowswitchingnoise ?Halogenfreecompliance

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社

RD0106T

PlanarUltrafastRectifier

PlanarUltrafastRectifier Fasttrrtype,1A,600V,50ns,TP/TP-FA Features ?Highbreakdownvoltage(VRRM=600V) ?Fastreverserecoverytime ?Lowforwardvoltage(VFmax=1.3V) ?Lowswitchingnoise ?Halogenfreecompliance

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

RD0106T-H

PlanarUltrafastRectifier

PlanarUltrafastRectifier Fasttrrtype,1A,600V,50ns,TP/TP-FA Features ?Highbreakdownvoltage(VRRM=600V) ?Fastreverserecoverytime ?Lowforwardvoltage(VFmax=1.3V) ?Lowswitchingnoise ?Halogenfreecompliance

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

RD0106T-H

DiffusedJunctionSiliconDiodeLowVF.High-SpeedSwitchingDiode

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    A0106Y

  • 制造商：

    APEM Inc.

  • 類別：

    開關(guān) > 可配置開關(guān)元件 - 主體

  • 系列：

    A01

  • 包裝：

    散裝

  • 要求：

    觸點(diǎn)塊，透鏡

  • 類型：

    瞬時(shí)

  • 照明：

    不發(fā)光

  • 致動(dòng)器類型：

    按鈕，方形

  • （先選擇，然后應(yīng)用篩選條件）兼容系列：

    Apem，A01（1 or 2 Pole）

  • 面板開口尺寸：

    16mm（圓形）

  • 描述：

    CONFIG SW BODY PUSHBUT NON-ILLUM

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
APEMComponen
23+
65600
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全新原裝 貨期兩周
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2023+
8700
原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
更多A0106Y供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 9:20:00

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