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939114733510-T3N電容器的硅電容器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
939114733510-T3N |
| 參數(shù)屬性 | 939114733510-T3N 封裝/外殼為0201（0603 公制）；包裝為托盤；類別為電容器的硅電容器；939114733510-T3N應(yīng)用范圍：高穩(wěn)定性；產(chǎn)品描述：CAP SILICON 10000PF 15% 30V 0201 |
| 功能描述 | BroadBand Silicon Capacitor BBSC 0201 10nF BV30 |
| 封裝外殼 | 0201（0603 公制） |
| 文件大小 |
1.55422 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | MURATA1 |
| 中文名稱 | 村田 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-16 23:01:00 |
| 人工找貨 | 939114733510-T3N價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
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939114733510-T3N規(guī)格書詳情
939114733510-T3N屬于電容器的硅電容器。由村田制作所制造生產(chǎn)的939114733510-T3N硅電容器硅電容器和薄膜電容器是使用半導(dǎo)體器件制造中更常用的工具、方法和材料制造的特殊器件。因此，所提供的極高精度和控制能力可生產(chǎn)出具有卓越參數(shù)穩(wěn)定性且近乎理想的電容器，但參數(shù)值范圍相對有限，并且與最直接的競爭對手陶瓷器件相比，成本要高得多。
? Broadband performance to 40 GHz
? Resonance free
? Phase stability
? Insertion low < 0.4dB Typ. up to 40 GHz
? Ultra-high stability of capacitance value:
o Temperature 70ppm/K (-55 °C to +150 °C)
o Voltage <-0.1/Volt
o Negligible capacitance loss through ageing
? Low profile: 400μm, 100 μm on request
? Break down voltage : 30V
? Low leakage current < 70pA
? High reliability
? High operating temperature (up to 150 °C)
? Compatible with high temperature cycling during manufacturing operations (exceeding 300 °C)
? Compatible with EIA 0201 footprint
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
939114733510-T3N
- 制造商：
Murata Electronics
- 類別：
電容器 > 硅電容器
- 系列：
BBSC
- 包裝：
托盤
- 容差：
±15%
- ESL（等效串聯(lián)電感）：
100pH
- 應(yīng)用：
高穩(wěn)定性
- 特性：
高可靠性，小尺寸
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C
- 封裝/外殼：
0201（0603 公制）
- 高度：
0.006"（0.14mm）
- 大小 / 尺寸：
0.031" 長 x 0.024" 寬（0.80mm x 0.60mm）
- 描述：
CAP SILICON 10000PF 15% 30V 0201
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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