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935156722410-T3S電容器的硅電容器規(guī)格書PDF中文資料

935156722410-T3S
廠商型號

935156722410-T3S

參數(shù)屬性

935156722410-T3S 封裝/外殼為0201(0603 公制);包裝為托盤;類別為電容器的硅電容器;935156722410-T3S應用范圍:高穩(wěn)定性;產(chǎn)品描述:CAP SILICON 1000PF 15% 30V 0201

功能描述

Ultra Large band Silicon Capacitor ULSC722.410 0201M 1nF BV30
CAP SILICON 1000PF 15% 30V 0201

封裝外殼

0201(0603 公制)

文件大小

1.26583 Mbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商

MURATA1

中文名稱

村田

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-11 23:01:00

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935156722410-T3S價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

935156722410-T3S規(guī)格書詳情

935156722410-T3S屬于電容器的硅電容器。由村田制作所制造生產(chǎn)的935156722410-T3S硅電容器硅電容器和薄膜電容器是使用半導體器件制造中更常用的工具、方法和材料制造的特殊器件。因此,所提供的極高精度和控制能力可生產(chǎn)出具有卓越參數(shù)穩(wěn)定性且近乎理想的電容器,但參數(shù)值范圍相對有限,并且與最直接的競爭對手陶瓷器件相比,成本要高得多。

Ultra large band performance to 20 GHz

Resonance free

Phase stability

Insertion low < 0.2dB Typ. up to 20 GHz

Ultra-high stability of capacitance value:

o Temperature 70ppm/K (-55 °C to +150 °C)

o Voltage <0.1/Volts

o Negligible capacitance loss through ageing

Low profile: 140μm including bump heigh

Break down voltage : 30V

Low leakage current < 100pA

High reliability

High operating temperature (up to 150 °C)

Compatible with high temperature cycling

during manufacturing operations

(exceeding 300 °C)

Compatible with EIA 0201 footprint

SAC305 40μm bumps after reflow

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    935156722410-T3S

  • 制造商:

    Murata Electronics

  • 類別:

    電容器 > 硅電容器

  • 系列:

    ULSC

  • 包裝:

    托盤

  • 容差:

    ±15%

  • ESL(等效串聯(lián)電感):

    100pH

  • 應用:

    高穩(wěn)定性

  • 特性:

    高可靠性,小尺寸

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C

  • 封裝/外殼:

    0201(0603 公制)

  • 高度:

    0.006"(0.14mm)

  • 大小 / 尺寸:

    0.024" 長 x 0.012" 寬(0.60mm x 0.30mm)

  • 描述:

    CAP SILICON 1000PF 15% 30V 0201

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
muRata(村田)
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