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935154832410-W0T電容器的硅電容器規(guī)格書PDF中文資料

935154832410-W0T
廠商型號

935154832410-W0T

參數(shù)屬性

935154832410-W0T 封裝/外殼為非標準型芯片;包裝為托盤;類別為電容器的硅電容器;935154832410-W0T應(yīng)用范圍:高穩(wěn)定性,垂直硅電容器,引線鍵合;產(chǎn)品描述:CAP SILICON 1000PF 15% 30V SMD

功能描述

Ultra-Large band Wire Bondable Vertical SiCap UWSC832.410 0101 1nF BV30
CAP SILICON 1000PF 15% 30V SMD

封裝外殼

非標準型芯片

文件大小

1.31359 Mbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商

MURATA1

中文名稱

村田

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-12 11:10:00

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935154832410-W0T價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

935154832410-W0T規(guī)格書詳情

935154832410-W0T屬于電容器的硅電容器。由村田制作所制造生產(chǎn)的935154832410-W0T硅電容器硅電容器和薄膜電容器是使用半導體器件制造中更常用的工具、方法和材料制造的特殊器件。因此,所提供的極高精度和控制能力可生產(chǎn)出具有卓越參數(shù)穩(wěn)定性且近乎理想的電容器,但參數(shù)值范圍相對有限,并且與最直接的競爭對手陶瓷器件相比,成本要高得多。

Compatible with MLCC footprint

? Ultra-high stability of capacitace value:

o Temperature 70ppm/K (-55 °C to

+150 °C)

o Voltage <0.02/Volt

o Negligible capacitance loss through

ageing

Low profile 0.1mm

Small size 0.25 x 0.25 mm (0101 format)

Break down voltage : 30V

Low leakage current

High reliability

High operating temperature (up to 150 °C)

Compatible with high temperature cycling

during manufacturing operations(exceeding 300 °C)

Compatible with EIA 0101 footprint

Applicable for standard wire bonding

assembly (ball and wedge)

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    935154832410-W0T

  • 制造商:

    Murata Electronics

  • 類別:

    電容器 > 硅電容器

  • 系列:

    UWSC

  • 包裝:

    托盤

  • 容差:

    ±15%

  • ESL(等效串聯(lián)電感):

    6pH

  • 應(yīng)用:

    高穩(wěn)定性,垂直硅電容器,引線鍵合

  • 特性:

    高可靠性,小尺寸

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C

  • 封裝/外殼:

    非標準型芯片

  • 高度:

    0.005"(0.12mm)

  • 大小 / 尺寸:

    0.010" 長 x 0.010" 寬(0.25mm x 0.25mm)

  • 描述:

    CAP SILICON 1000PF 15% 30V SMD

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
MURATA/村田
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