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935154522310-W0T電容器的硅電容器規(guī)格書PDF中文資料

935154522310-W0T
廠商型號

935154522310-W0T

參數(shù)屬性

935154522310-W0T 封裝/外殼為非標(biāo)準(zhǔn)型芯片;包裝為托盤;類別為電容器的硅電容器;935154522310-W0T應(yīng)用范圍:高穩(wěn)定性,垂直硅電容器,引線鍵合;產(chǎn)品描述:CAP SILICON 100PF 15% 150V SMD

功能描述

Ultra-large band Wire bondable Vertical SiCap UWSC 0101 100pF BV150
CAP SILICON 100PF 15% 150V SMD

封裝外殼

非標(biāo)準(zhǔn)型芯片

文件大小

796.31 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商

MURATA1

中文名稱

村田

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-12 23:01:00

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935154522310-W0T價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

935154522310-W0T規(guī)格書詳情

935154522310-W0T屬于電容器的硅電容器。由村田制作所制造生產(chǎn)的935154522310-W0T硅電容器硅電容器和薄膜電容器是使用半導(dǎo)體器件制造中更常用的工具、方法和材料制造的特殊器件。因此,所提供的極高精度和控制能力可生產(chǎn)出具有卓越參數(shù)穩(wěn)定性且近乎理想的電容器,但參數(shù)值范圍相對有限,并且與最直接的競爭對手陶瓷器件相比,成本要高得多。

? Ultra large band performance to 67 GHz

? Resonance free

? Phase stability

? High rejection at 60 GHz

? Ultra-high stability of capacitance value:

o Temperature 70ppm/K (-55 °C to +150 °C)

o Voltage < -0.02/Volts

o Negligible capacitance loss through ageing

? Low profile: 0.10mm (standard).

? Break down voltage: 150V

? Low leakage current < 70pA

? High reliability

? High operating temperature (up to 150 °C)

? Compatible with high temperature cycling during manufacturing operations (exceeding 300 °C)

? Compatible with EIA 0101 footprint

? Applicable for standard wire bonding assembly (ball and wedge)

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    935154522310-W0T

  • 制造商:

    Murata Electronics

  • 類別:

    電容器 > 硅電容器

  • 系列:

    UWSC

  • 包裝:

    托盤

  • 容差:

    ±15%

  • ESL(等效串聯(lián)電感):

    6pH

  • 應(yīng)用:

    高穩(wěn)定性,垂直硅電容器,引線鍵合

  • 特性:

    高可靠性,小尺寸

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C

  • 封裝/外殼:

    非標(biāo)準(zhǔn)型芯片

  • 高度:

    0.005"(0.12mm)

  • 大小 / 尺寸:

    0.010" 長 x 0.010" 寬(0.25mm x 0.25mm)

  • 描述:

    CAP SILICON 100PF 15% 150V SMD

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
muRata(村田)
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