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FIR7N65AALG	文件：4.06678 Mbytes Page：9 Pages	650VN-ChannelMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FIR7N65ABPG	文件：4.06678 Mbytes Page：9 Pages	650VN-ChannelMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FIR7N65BPG	文件：4.33285 Mbytes Page：8 Pages	AdvancedN-ChPowerMOSFET-I	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FIR7N65FG	文件：2.82486 Mbytes Page：8 Pages	AdvancedN-ChPowerMOSFET-I	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FIR7N65LG	文件：3.73969 Mbytes Page：8 Pages	AdvancedN-ChPowerMOSFET-I	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FQA7N65C	文件：722.05 Kbytes Page：8 Pages	650VN-ChannelMOSFET TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQB7N65C	文件：723.41 Kbytes Page：8 Pages	650VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstand	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQB7N65CTM	文件：723.41 Kbytes Page：8 Pages	650VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstand	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQP7N65C	文件：886.6 Kbytes Page：10 Pages	650VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQP7N65C	文件：296.25 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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