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74LVC2G38GS集成電路(IC)的門反相器規(guī)格書PDF中文資料

74LVC2G38GS
廠商型號(hào)

74LVC2G38GS

參數(shù)屬性

74LVC2G38GS 封裝/外殼為8-XFDFN;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為集成電路(IC)的門反相器;產(chǎn)品描述:IC GATE NAND OD 2CH 2-INP 8XSON

功能描述

Dual 2-input NAND gate; open drain

絲印標(biāo)識(shí)

YB

封裝外殼

SOT1203 / 8-XFDFN

文件大小

303.01 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

20 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-4 15:14:00

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74LVC2G38GS規(guī)格書詳情

1. General description

The 74LVC2G38 is a dual 2-input NAND gate with open-drain outputs. Inputs can be driven from

either 3.3 V or 5 V devices. This feature allows the use of these devices as translators in mixed

3.3 V and 5 V environments. Schmitt-trigger action at all inputs makes the circuit tolerant of slower

input rise and fall times.

This device is fully specified for partial power down applications using IOFF. The IOFF circuitry

disables the output, preventing the potentially damaging backflow current through the device when

it is powered down.

2. Features and benefits

? Wide supply voltage range from 1.65 V to 5.5 V

? 5 V tolerant outputs for interfacing with 5 V logic

? Overvoltage tolerant inputs to 5.5 V

? High noise immunity

? CMOS low power dissipation

? IOFF circuitry provides partial Power-down mode operation

? Complies with JEDEC standard:

? ? JESD8-7 (1.65 V to 1.95 V)

? JESD8-5 (2.3 V to 2.7 V)

? JESD8C (2.7 V to 3.6 V)

? JESD36 (4.5 V to 5.5 V)

? ESD protection:

? ? HBM: JESD22-A114F exceeds 2000 V

? MM: JESD22-A115-A exceeds 200 V

? ±24 mA output drive (VCC = 3.0 V)

? Open-drain outputs

? Latch-up performance exceeds 250 mA

? Direct interface with TTL levels

? Multiple package options

? Specified from -40 °C to +85 °C and -40 °C to +125 °C

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    74LVC2G38GS,115

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 門和反相器

  • 系列:

    74LVC

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 邏輯類型:

    與非門

  • 輸入數(shù):

    2

  • 特性:

    開路漏極

  • 電壓 - 供電:

    1.65V ~ 5.5V

  • 電流 - 輸出高、低:

    -,32mA

  • 邏輯電平 - 低:

    0.7V ~ 0.8V

  • 邏輯電平 - 高:

    1.7V ~ 2V

  • 不同 V、最大 CL 時(shí)最大傳播延遲:

    3.3ns @ 5V,50pF

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-XSON(1.35x1)

  • 封裝/外殼:

    8-XFDFN

  • 描述:

    IC GATE NAND OD 2CH 2-INP 8XSON

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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