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74LVC1G10FW4集成電路(IC)的門反相器規(guī)格書PDF中文資料

74LVC1G10FW4
廠商型號(hào)

74LVC1G10FW4

參數(shù)屬性

74LVC1G10FW4 封裝/外殼為6-XFDFN;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為集成電路(IC)的門反相器;產(chǎn)品描述:IC GATE NAND 1CH 3-INP DFN1010-6

功能描述

SINGLE 3 INPUT POSITIVE NAND GATE

絲印標(biāo)識(shí)

TU

封裝外殼

DFN-61x1 / 6-XFDFN

文件大小

291.12 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商

DIODES

中文名稱

美臺(tái)半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-7 20:00:00

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74LVC1G10FW4規(guī)格書詳情

描述 Description

The 74LVC1G10 is a single 3-input positive NAND gate with a standard push-pull output. The device is designed for operation with a power supply range of 1.65V to 5.5V. The inputs are tolerant to 5.5V allowing this device to be used in a mixed voltage environment. The device is fully specified for partial power down applications using IOFF. The IOFF circuitry disables the output preventing damaging current backflow when the device is powered down.

特性 Features

? Wide Supply Voltage Range from 1.65V to 5.5V

? ± 24mA Output Drive at 3.3V

? CMOS low power consumption

? IOFF Supports Partial-Power-Down Mode Operation

? Inputs accept up to 5.5V

? ESD Protection Exceeds JESD 22

200-V Machine Model (A115-A)

2000-V Human Body Model (A114-A)

? Latch-Up Exceeds 100mA per JESD 78, Class II

? Range of Package Options

? SOT26, SOT363, DFN1410, and DFN1010: Available in “Green” Molding Compound (no Br, Sb)

? Lead Free Finish/ RoHS Compliant

Applications

? Voltage Level Shifting

? General Purpose Logic

? Power Down Signal Isolation

? Wide array of products such as:

o PCs, networking, notebooks, netbooks, PDAs

o Computer peripherals, hard drives, CD/DVD ROM

o TV, DVD, DVR, set top box

o Cell Phones, Personal Navigation / GPS

o MP3 players ,Cameras, Video Recorders

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    74LVC1G10FW4-7

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 類別:

    集成電路(IC) > 門和反相器

  • 系列:

    74LVC

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 邏輯類型:

    與非門

  • 輸入數(shù):

    3

  • 電壓 - 供電:

    1.65V ~ 5.5V

  • 電流 - 輸出高、低:

    32mA,32mA

  • 邏輯電平 - 低:

    0.7V ~ 0.8V

  • 邏輯電平 - 高:

    1.7V ~ 2V

  • 不同 V、最大 CL 時(shí)最大傳播延遲:

    4.3ns @ 5V,50pF

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    X2-DFN1010-6

  • 封裝/外殼:

    6-XFDFN

  • 描述:

    IC GATE NAND 1CH 3-INP DFN1010-6

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
DIODES/美臺(tái)
24+
NA/
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