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74HCT30D-Q100

8-input NAND gate

1.Generaldescription The74HC30-Q100;74HCT30-Q100isan8-inputNANDgate.Inputsincludeclampdiodes.This enablestheuseofcurrentlimitingresistorstointerfaceinputstovoltagesinexcessofVCC. ThisproducthasbeenqualifiedtotheAutomotiveElectronicsCouncil(AEC)standardQ1

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74HCT30D-Q100

8-input NAND gate; ? Automotive product qualification in accordance with AEC-Q100 (Grade 1)? Specified from -40 °C to +85 °C and from -40 °C to +125 °C\n\n? Complies with JEDEC standard JESD7A\n? Input levels:? For 74HC30-Q100: CMOS level\n? For 74HCT30-Q100: TTL level\n\n? ESD protection:? MIL-STD-883, method 3015 exceeds 2000 V\n? HBM JESD22-A114F exceeds 2000 V\n? MM JESD22-A115-A exceeds 200 V (C = 200 pF, R = 0 Ω)\n\n? Multiple package options\n;

The 74HC30-Q100; 74HCT30-Q100 is an 8-input NAND gate. Inputs include clamp diodes. This enables the use of current limiting resistors to interface inputs to voltages in excess of VCC.\n This product has been qualified to the Automotive Electronics Council (AEC) standard Q100 (Grade 1) and is suitable for use in automotive applications.\n

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8-input NAND gate

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74HCT30D-Q100J

Package：14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 門和反相器 描述：IC GATE NAND 1CH 8-INP 14SO

ETC

ETC

技術(shù)參數(shù)

  • VCC (V)：

    4.5?-?5.5

  • Logic switching levels：

    TTL

  • Output drive capability (mA)：

    ± 4

  • tpd (ns)：

    12

  • fmax (MHz)：

    36

  • Nr of bits：

    1

  • Power dissipation considerations：

    low

  • Tamb (°C)：

    -40~125

  • Rth(j-a) (K/W)：

    85

  • Ψth(j-top) (K/W)：

    5.1

  • Rth(j-c) (K/W)：

    43

  • Package name：

    SO14

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更多74HCT30D-Q100供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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