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71V67903S80BQ8集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
71V67903S80BQ8 |
| 參數(shù)屬性 | 71V67903S80BQ8 封裝/外殼為165-TBGA；包裝為托盤；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA |
| 功能描述 | 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect |
| 封裝外殼 | 165-TBGA |
| 文件大小 |
301.85 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
23 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | RENESAS |
| 中文名稱 | 瑞薩 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-3 13:01:00 |
| 人工找貨 | 71V67903S80BQ8價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
71V67903S80BQ8規(guī)格書詳情
特性 Features
◆ 256K x 36, 512K x 18 memory configurations
◆ Supports fast access times:
– 7.5ns up to 117MHz clock frequency
– 8.0ns up to 100MHz clock frequency
– 8.5ns up to 87MHz clock frequency
◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode
◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write
enable (BWE), and byte writes (BWx)
◆ 3.3V core power supply
◆ Power down controlled by ZZ input
◆ 3.3V I/O supply (VDDQ)
◆ Packaged in a JEDEC Standard 100-pin thin plastic quad
flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch ball
grid array (fBGA)
◆ Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
◆ Green parts available, see ordering information
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
71V67903S80BQ8
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
托盤
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
SRAM
- 技術：
SRAM - 同步，SDR
- 存儲容量：
9Mb（512K x 18）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 電壓 - 供電：
3.135V ~ 3.465V
- 工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
165-TBGA
- 供應商器件封裝：
165-CABGA（13x15）
- 描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT, Integrated Device Technol |
21+ |
24-TBGA |
5280 |
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RENESAS(瑞薩)/IDT |
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CABGA-165(13x15) |
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