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71V65603S133BGGI集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
71V65603S133BGGI |
| 參數(shù)屬性 | 71V65603S133BGGI 封裝/外殼為119-BGA；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA |
| 功能描述 | 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT? SRAMs ZBT? Feature 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| 封裝外殼 | 119-BGA |
| 文件大小 |
313.82 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
27 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | RENESAS |
| 中文名稱 | 瑞薩 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-8 17:19:00 |
| 人工找貨 | 71V65603S133BGGI價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
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更多71V65603S133BGGI規(guī)格書詳情
特性 Features
◆ 256K x 36, 512K x 18 memory configurations
◆ Supports high performance system speed - 150MHz
(3.8ns Clock-to-Data Access)
◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles
◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the
need to control OE
◆ Single R/W (READ/WRITE) control pin
◆ Positive clock-edge triggered address, data, and control signal
registers for fully pipelined applications
◆ 4-word burst capability (interleaved or linear)
◆ Individual byte write (BW1 - BW4) control (May tie active)
◆ Three chip enables for simple depth expansion
◆ 3.3V power supply (±5)
◆ 3.3V I/O Supply (VDDQ)
◆ Power down controlled by ZZ input
◆ Packaged in a JEDEC standard 100-pin plastic thin quad
flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine
pitch ball grid array(fBGA)
◆ Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
◆ Green parts available, see ordering information
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
71V65603S133BGGI
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
卷帶（TR）
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM - 同步，SDR（ZBT）
- 存儲容量：
9Mb（256K x 36）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 電壓 - 供電：
3.135V ~ 3.465V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
119-BGA
- 供應(yīng)商器件封裝：
119-PBGA（14x22）
- 描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas Electronics America In |
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119-BGA |
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