71V25761數(shù)據(jù)手冊集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
71V25761 |
| 參數(shù)屬性 | 71V25761 封裝/外殼為119-BGA；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA |
| 功能描述 | 3.3V 128K x 36 Synchronous PipeLined Burst SRAM with 2.5V I/O |
| 封裝外殼 | 119-BGA |
| 制造商 | Renesas Renesas Technology Corp |
| 中文名稱 | 瑞薩 瑞薩科技有限公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-20 22:30:00 |
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71V25761規(guī)格書詳情
描述 Description
The 71V25761 3.3V CMOS Synchronous SRAM is organized as 128K x 36and contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as the 71V25761 can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM.
特性 Features
High system speed 200MHz (3.1ns clock access time)
LBO input selects interleaved or linear burst mode
Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write enable (BWE), and byte writes (BWx)
3.3V core power supply
Power down controlled by ZZ input
2.5V I/O
Optional - Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1 Compliant)
Available in 100-pin TQFP and 119-pin BGA packages
技術(shù)參數(shù)
- 產(chǎn)品編號：
71V25761S166BG8
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
卷帶（TR）
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM - 同步，SDR
- 存儲容量：
4.5Mb（128K x 36）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 電壓 - 供電：
3.135V ~ 3.465V
- 工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
119-BGA
- 供應(yīng)商器件封裝：
119-PBGA（14x22）
- 描述：
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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