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70T659S12BCI8集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
70T659S12BCI8 |
| 參數(shù)屬性 | 70T659S12BCI8 封裝/外殼為256-LBGA；包裝為托盤；類別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA |
| 功能描述 | HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE |
| 封裝外殼 | 256-LBGA |
| 文件大小 |
431.37 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
29 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | RENESAS |
| 中文名稱 | 瑞薩 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-14 11:57:00 |
| 人工找貨 | 70T659S12BCI8價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
70T659S12BCI8規(guī)格書詳情
特性 Features
◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
◆ High-speed access
– Commercial: 10/12/15ns (max.)
– Industrial: 10/12ns (max.)
◆ RapidWrite Mode simplifies high-speed consecutive write
cycles
◆ Dual chip enables allow for depth expansion without
external logic
◆ IDT70T651/9 easily expands data bus width to 72 bits or
more using the Master/Slave select when cascading more
than one device
◆ M/S = VIH for BUSY output flag on Master,
M/S = VIL for BUSY input on Slave
◆ Busy and Interrupt Flags
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
70T659S12BCI8
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
- 包裝：
托盤
- 存儲(chǔ)器類型：
易失
- 存儲(chǔ)器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM - 雙端口，異步
- 存儲(chǔ)容量：
4.5Mb（128K x 36）
- 存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字，頁：
12ns
- 電壓 - 供電：
2.4V ~ 2.6V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
256-LBGA
- 供應(yīng)商器件封裝：
256-CABGA（17x17）
- 描述：
IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞薩)/IDT |
24+ |
CABGA256(17x17) |
7350 |
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RENESAS(瑞薩)/IDT |
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Renesas |
25+ |
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詢價(jià) | ||
RENESAS(瑞薩)/IDT |
2021+ |
CABGA-256(17x17) |
499 |
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IDT |
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256-CABGA(17x17) |
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