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首頁>70T633S10BFG>規(guī)格書詳情

70T633S10BFG集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

70T633S10BFG
廠商型號

70T633S10BFG

參數(shù)屬性

70T633S10BFG 封裝/外殼為208-LFBGA;包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA

功能描述

HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

封裝外殼

208-LFBGA

文件大小

437.45 Kbytes

頁面數(shù)量

27

生產(chǎn)廠商

IDT

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-18 10:45:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    70T633S10BFG

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 雙端口,異步

  • 存儲容量:

    9Mb(512K x 18)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    10ns

  • 電壓 - 供電:

    2.4V ~ 2.6V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    208-LFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    208-CABGA(15x15)

  • 描述:

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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