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70T3399S200BC8集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料

70T3399S200BC8
廠商型號(hào)

70T3399S200BC8

參數(shù)屬性

70T3399S200BC8 封裝/外殼為256-LBGA;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256CABGA

功能描述

HIGH-SPEED 2.5V 512/256/128K X 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

封裝外殼

256-LBGA

文件大小

628.53 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

28 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

RENESAS

中文名稱

瑞薩

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-20 11:25:00

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70T3399S200BC8規(guī)格書詳情

Features:

◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous

access of the same memory location

◆ High-speed data access

– Commercial: 3.4 (200MHz)/3.6ns (166MHz)/

4.2ns (133MHz)(max.)

– Industrial: 4.2ns (133MHz) (max.)

◆ Selectable Pipelined or Flow-Through output mode

◆ Counter enable and repeat features

◆ Dual chip enables allow for depth expansion without

additional logic

◆ Interrupt and Collision Detection Flags

◆ Full synchronous operation on both ports

– 5ns cycle time, 200MHz operation (14Gbps bandwidth)

– Fast 3.4ns clock to data out

– Data input, address, byte enable and control registers

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    70T3399S200BC8

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 雙端口,同步

  • 存儲(chǔ)容量:

    2Mb(128K x 18)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    2.4V ~ 2.6V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    256-LBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    256-CABGA(17x17)

  • 描述:

    IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256CABGA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IDT
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BGA
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