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6R099P

型號：IPI60R099CP；Package：PG-TO262；High peak current capability

Features ?WorldwidebestRds,oninTO220 ?Ultralowgatecharge ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

6R099P6

型號：IPA60R099P6；Package：PG-TO220FullPAK；600V CoolMOS??P6 Power Transistor

Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS?P6seriescombinesthe experienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation. Theoffereddevicesprovideallbenefitsofafastsw

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

6R099P6

型號：IPP60R099P6；Package：PG-TO220；600V CoolMOS??P6 Power Transistor

Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS?P6seriescombinesthe experienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation. Theoffereddevicesprovideallbenefitsofafastsw

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

6R099P6

型號：IPW60R099P6；Package：PG-TO247；600V CoolMOS??P6 Power Transistor

Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS?P6seriescombinesthe experienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation. Theoffereddevicesprovideallbenefitsofafastsw

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    6R099P

  • 功能描述：

    MOSFET COOL MOS N-CH 600V 0.099Ohms

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON/英飛凌
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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更多6R099P供應商 更新時間2025-7-29 10:06:00

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