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5LN01C-TB-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

PDF無圖
廠商型號

5LN01C-TB-E

參數(shù)屬性

5LN01C-TB-E 包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP

功能描述

N-Channel Small Signal MOSFET
MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP

文件大小

263.5 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-23 22:59:00

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5LN01C-TB-E規(guī)格書詳情

5LN01C-TB-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的5LN01C-TB-E晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

N-Channel Small Signal MOSFET

50V, 0.1A, 7.8Ω, Single CP

特性 Features

? Low ON-resistance

? Ultrahigh-speed switching

? 2.5V drive

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    5LN01C-TB-EX

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    100mA(Tj)

  • 描述:

    MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ON/安森美
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2020+PB
SOT-23
200000
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