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5962R2321302VXC中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
5962R2321302VXC |
| 功能描述 | 1-Mb parallel F-RAM with RADSTOP? technology |
| 文件大小 |
274.89 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
30 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | INFINEON |
| 中文名稱 | 英飛凌 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-20 9:19:00 |
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特性 Features
? 1-Mbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically organized as (64K × 16) or (128K × 8)
- High-endurance 10 trillion (1013) reads/writes
- 121 year data retention (see “Data retention and endurance” on page 13)
- Infineon instant non-volatile write technology
- Page-mode operation for 30 ns cycle time
- Advanced high-reliability ferroelectric process
? SRAM compatible
- Industry-standard (64K × 16)/(128K × 8) SRAM pinout
? 60 ns access time, 90 ns cycle time
? Advanced features
- Software-programmable block write-protect
? Low power consumption (pre/post 150 krad TID radiation)
? 20 mA/20 mA active current at 25 MHz
? 700 μA/5 mA standby current
? 20 μA/8 mA sleep mode current
? Low-voltage operation: VDD = 2.0 V to 3.6 V
? Military temperature: –55°C to +125°C
? 44-pin ceramic TSOP package
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ADI/亞德諾 |
22+ |
66900 |
原封裝 |
詢價(jià) | |||
TI |
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) | |||
AD |
05+ |
100 |
原裝正品 |
詢價(jià) | |||
UTMC |
2023+ |
5850 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | |||
TI/德州儀器 |
22+ |
CDIP |
638080 |
公司只售原裝 支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
TI/德州儀器 |
25+ |
原廠封裝 |
10280 |
詢價(jià) | |||
ADI/亞德諾 |
25+ |
原封裝 |
8800 |
公司只做原裝,詳情請(qǐng)咨詢 |
詢價(jià) | ||
TI |
2025+ |
CFP-16 |
16000 |
原裝優(yōu)勢(shì)絕對(duì)有貨 |
詢價(jià) | ||
TEXAS INSTRUMENTS |
2022+ |
原廠原包裝 |
8600 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo) |
詢價(jià) | ||
TI(德州儀器) |
24+ |
DIP16 |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢價(jià) |
